NTGS4111PT1G

￥ 0.154

NTGS4111PT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-6

描述:

ON SEMICONDUCTOR NTGS4111PT1G 场效应管, MOSFET, P沟道, -30V, 4.7A, TSOP

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

NTGS4111PT1G 数据手册 (2 页)

NTGS4111PT1G 数据手册 (2 页)

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NTGS4111PT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

额定电压(DC)

-30.0 V

额定电流

-4.70 A

封装

SOT-23-6

通道数

1 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

60 mΩ

极性

P-Channel

功耗

1.25 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

4.70 A

输入电容值(Ciss)

750pF @15V(Vds)

额定功率(Max)

630 mW

下降时间

22 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

630mW (Ta)

查看数据手册 >

NTGS4111PT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.1 mm

宽度

1.5 mm

高度

1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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NTGS4111PT1G 符合标准

NTGS4111PT1G 海关信息

NTGS4111PT1G 概述

NTGS4111PT1G 数据手册

NTGS4111PT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.19 MByte

NTGS4111PT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.47 MByte

NTGS4111PT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.06 MByte

NTGS4111PT1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.53 MByte

NTGS4111PT1G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.15 MByte

NTGS4111PT1 数据手册

NTGS4111PT1 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

功率MOSFET （ -30 V， -4.7 A，单P沟道， TSOP - 6 ） Power MOSFET (-30 V, -4.7 A, Single P-Channel, TSOP-6)

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