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MJE5731AG
0.688
MJE5731AG 数据手册 (6 页)
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MJE5731AG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
10 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-375 V
额定电流
-1.00 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
2 W
击穿电压(集电极-发射极)
375 V
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
30 @300mA, 10V
额定功率(Max)
40 W
直流电流增益(hFE)
10
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
40000 mW

MJE5731AG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
宽度
4.83 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

MJE5731AG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
20 页 / 2.6 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MJE5731 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
高电压PNP硅塑料功率晶体管 High Voltage PNP Silicon Plastic Power Transistors
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
高电压晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJE5731AG  单晶体管 双极, PNP, 375 V, 10 MHz, 2 W, 1 A, 10 hFE
ON Semiconductor(安森美)
功率晶体管PNP硅 POWER TRANSISTORS PNP SILICON
Motorola(摩托罗拉)
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