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MJE5852G
0.82
MJE5852G 数据手册 (9 页)
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MJE5852G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-400 V
额定电流
-8.00 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
80 W
击穿电压(集电极-发射极)
400 V
热阻
1.25℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
8A
最小电流放大倍数
5 @5A, 5V
额定功率(Max)
80 W
直流电流增益(hFE)
15
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
80000 mW

MJE5852G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.28 mm
宽度
4.83 mm
高度
9.28 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

MJE5852G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.21 MByte
ON Semiconductor(安森美)
20 页 / 2.6 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MJE5852 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
PNP硅功率晶体管 PNP SILICON POWER TRANSISTORS
ST Microelectronics(意法半导体)
高电压PNP功率晶体管 HIGH VOLTAGE PNP POWER TRANSISTOR
Motorola(摩托罗拉)
New Jersey Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJE5852G  单晶体管 双极, PNP, 400 V, 80 W, 8 A, 15 hFE
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