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MJE802G
0.165
MJE802G 数据手册 (4 页)
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MJE802G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
4.00 A
封装
TO-225-3
无卤素状态
Halogen Free
输出电压
80 V
输出电流
4 A
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
40 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
4A
最小电流放大倍数
750 @1.5A, 3V
额定功率(Max)
40 W
直流电流增益(hFE)
100
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
40000 mW
输入电压
5 V

MJE802G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
长度
7.8 mm
宽度
2.66 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MJE802G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.1 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.36 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.03 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MJE802 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
达林顿功率晶体管互补 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY
ST Microelectronics(意法半导体)
硅NPN功率达林顿晶体管 SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS
Motorola(摩托罗拉)
Central Semiconductor
Fairchild(飞兆/仙童)
整体结构采用内置基地 - 发射极电阻 Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors
Advanced Semiconductor
Samsung(三星)
National Semiconductor(美国国家半导体)
TI(德州仪器)
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