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MJF44H11G
1.483
MJF44H11G 数据手册 (6 页)
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MJF44H11G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
50 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
80.0 V
额定电流
10.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
36 W
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
热阻
3.5℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流
10A
最小电流放大倍数
40 @4A, 1V
额定功率(Max)
2 W
直流电流增益(hFE)
60
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2000 mW

MJF44H11G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
10.63 mm
宽度
4.9 mm
高度
16.12 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MJF44H11G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.2 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.14 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.1 MByte

MJF44H11 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
硅功率晶体管10安培80伏, 36瓦 SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 80 VOLTS, 36 WATTS
Motorola(摩托罗拉)
Inchange Semiconductor
New Jersey Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
NPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
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