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MJL21195G
3.531
MJL21195G 数据手册 (8 页)
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MJL21195G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
4 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-250 V
额定电流
-16.0 A
封装
TO-264-3
针脚数
3 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
200 W
击穿电压(集电极-发射极)
250 V
集电极最大允许电流
16A
最小电流放大倍数
25 @8A, 5V
最大电流放大倍数
100
额定功率(Max)
200 W
直流电流增益(hFE)
8
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
200000 mW

MJL21195G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
20.3 mm
宽度
5.3 mm
高度
26.4 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

MJL21195G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.16 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.12 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

MJL21195 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
硅功率晶体管 Silicon Power Transistors
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJL21195G  单晶体管 双极, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -16 A, 8 hFE 新
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