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ZXMS6006DGTA
0.659
ZXMS6006DGTA 数据手册 (9 页)
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ZXMS6006DGTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223-3
输出接口数
1 Output
通道数
1 Channel
针脚数
4 Position
漏源极电阻
0.075 Ω
极性
N-Channel
功耗
1.3 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
上升时间
18000 ns
输入电压(Min)
0 V
输出电流(Max)
2.8 A
输入数
1 Input
下降时间
15000 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
输入电压
5.5 V

ZXMS6006DGTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 150℃

ZXMS6006DGTA 数据手册

Diodes(美台)
9 页 / 0.23 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte

ZXMS6006 数据手册

Diodes(美台)
功率电子开关 ZXMS6006SGTA SOT-223
Diodes(美台)
DIODES INC.  ZXMS6006DGTA  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 60 V, 0.075 ohm, 5 V, 1 V
Diodes(美台)
ZXMS6006DT8TA 编带
Diodes Zetex(捷特科)
IntelliFET 自保护 MOSFET,Diodes IncIntelliFET 是自保护型 MOSFET,集成了完整保护电路,可防止 ESD(静电敏感设备)、过电流、过电压和过温条件。短路保护,具有自动重启 过压保护(有源箝位) 过电流保护 输入保护 (ESD) 高连续电流额定值 负载突卸保护 逻辑电平输入 ### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
IntelliFET 自保护 MOSFET,Diodes IncIntelliFET 是自保护型 MOSFET,集成了完整保护电路,可防止 ESD(静电敏感设备)、过电流、过电压和过温条件。短路保护,具有自动重启 过压保护(有源箝位) 过电流保护 输入保护 (ESD) 高连续电流额定值 负载突卸保护 逻辑电平输入 ### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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