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MJW1302AG
2.326
MJW1302AG 数据手册 (20 页)
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MJW1302AG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
30 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-230 V
额定电流
-15.0 A
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
200 W
击穿电压(集电极-发射极)
230 V
集电极最大允许电流
15A
最小电流放大倍数
50
最大电流放大倍数
200
额定功率(Max)
200 W
直流电流增益(hFE)
12
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
200000 mW

MJW1302AG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
16.26 mm
宽度
5.3 mm
高度
21.08 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

MJW1302AG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
20 页 / 0.89 MByte
ON Semiconductor(安森美)
8 页 / 0.22 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.1 MByte

MJW1302 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJW1302AG  单晶体管 双极, PNP, -230 V, 30 MHz, 200 W, -15 A, 12 hFE 新
ON Semiconductor(安森美)
互补NPN -PNP硅功率双极晶体管 Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors
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