￥ 1.242

R8008ANX 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

10V驱动N沟道MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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R8008ANX 数据手册 (6 页)

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R8008ANX 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.79 Ω

极性

N-Channel

功耗

66 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

800 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

50 ns

输入电容值(Ciss)

1080pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

50 W

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

50W (Tc)

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R8008ANX 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

最小包装数量

1000

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R8008ANX 符合标准

R8008ANX 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

6 页 / 0.5 MByte

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