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MJW21195G
3.164
MJW21195G 数据手册 (7 页)
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MJW21195G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
4 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-250 V
额定电流
-16.0 A
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
200 W
击穿电压(集电极-发射极)
250 V
集电极最大允许电流
16A
最小电流放大倍数
20 @8A, 5V
最大电流放大倍数
80
额定功率(Max)
200 W
直流电流增益(hFE)
20
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
200000 mW

MJW21195G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
16.26 mm
宽度
5.3 mm
高度
21.08 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃

MJW21195G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.22 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte

MJW21195 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
硅功率晶体管 Silicon Power Transistors
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MJW21195G  单晶体管 双极, 音频, PNP, -250 V, 4 MHz, 200 W, -16 A, 20 hFE
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