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MJW3281AG
2.319
MJW3281AG 数据手册 (6 页)
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MJW3281AG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
230 V
额定电流
15.0 A
封装
TO-247-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
200 W
增益频宽积
30 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
230 V
集电极最大允许电流
15A
最小电流放大倍数
50
最大电流放大倍数
200
额定功率(Max)
200 W
直流电流增益(hFE)
125
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
65 ℃
耗散功率(Max)
200000 mW

MJW3281AG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
材质
Silicon
长度
16.26 mm
宽度
5.3 mm
高度
21.08 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

MJW3281AG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.15 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.61 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.05 MByte

MJW3281 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
互补NPN -PNP硅功率双极晶体管 Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors
ON Semiconductor(安森美)
互补NPN -PNP硅功率双极晶体管 Complementary NPN-PNP Silicon Power Bipolar Transistors
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