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FDT3N40TF
0.225
FDT3N40TF 数据手册 (8 页)
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FDT3N40TF 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-261-4
针脚数
3 Position
漏源极电阻
2.8 Ω
极性
N-Channel
功耗
2 W
阈值电压
5 V
漏源极电压(Vds)
400 V
连续漏极电流(Ids)
2A
上升时间
30 ns
输入电容值(Ciss)
225pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
2 W
下降时间
25 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2W (Tc)

FDT3N40TF 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.5 mm
宽度
3.5 mm
高度
1.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDT3N40TF 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.79 MByte
Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.79 MByte

FDT3N40 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDT3N40TF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 400 V, 2.8 ohm, 10 V, 5 V
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDT3N40TF, 2 A, Vds=400 V, 3针+焊片 SOT-223封装
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