MMBF170 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V 最大漏极电流Id Drain Current | 500MA 源漏极导通电阻Rds Drain-Source On-State | VGS = 10V, ID = 200mA RDS=1.5~5Ω 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.8~3v 耗散功率Pd Power dissipation | 300mw 描述与应用 Description & Applications | 　n沟道增强型场效应晶体管 　　■高密度细胞设计低RDS(上)。 　　■小信号电压控制开关。 　　■坚固和可靠的。 　　■高饱和电流的能力。