输入电容值(Ciss)
60pF @10V(Vds)
●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 500mA/0.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.05Ω/Ohm @200mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-3.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •AEC Q101 Qualified − MVBF170LT1 •These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant 描述与应用| 功率MOSFET 500毫安，60 V N沟道SOT-23 AEC Q101标准 - MVBF170LT1 •这些器件是无铅，符合RoHS标准
ON Semiconductor（安森美）
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ON Semiconductor（安森美）
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MMBF170, 500 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild（飞兆/仙童）
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF170 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V
National Semiconductor（美国国家半导体）
ON Semiconductor（安森美）
ON SEMICONDUCTOR MMBF170LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V
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