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MMBF170-7-F
0.012
MMBF170-7-F 数据手册 (14 页)
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MMBF170-7-F 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
500 mA
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
5 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 mW
阈值电压
2.1 V
输入电容
40.0 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
70.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
500 mA
输入电容值(Ciss)
40pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
300 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBF170-7-F 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBF170-7-F 数据手册

Diodes(美台)
14 页 / 1.26 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
4 页 / 0.07 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.13 MByte

MMBF1707 数据手册

Diodes(美台)
功率MOSFET500毫安,60 VN沟道SOT-23高密度电池设计的低RDS(ON)电压控制小信号开关坚固,可靠。高饱和电流能力
Diodes(美台)
MMBF170-7-F 编带
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
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