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MMBF170LT3G
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MMBF170LT3G 数据手册 (5 页)
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MMBF170LT3G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
500 mA
封装
SOT-23-3
通道数
1 Channel
漏源极电阻
5 Ω
极性
N-Channel
功耗
225 mW
输入电容
60.0 pF
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
500 mA
输入电容值(Ciss)
60pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
225 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
55 ℃
耗散功率(Max)
225mW (Ta)

MMBF170LT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2.9 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBF170LT3G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
11 页 / 0.21 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.12 MByte

MMBF170LT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
功率MOSFET 500毫安, 60 V的N沟道SOT- 23 Power MOSFET 500 mA, 60 V N-Channel SOT-23
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
0.5A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET
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