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MMBF170LT3 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

功率MOSFET 500毫安， 60 V的N沟道SOT- 23 Power MOSFET 500 mA, 60 V N-Channel SOT-23

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MMBF170LT3 数据手册 (5 页)

引脚图在1 页Hot

封装尺寸在5 页

MMBF170LT3 数据手册 (5 页)

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MMBF170LT3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

500 mA

封装

SOT-23-3

漏源极电阻

5.00 Ω

极性

N-Channel

功耗

225mW (Ta)

输入电容

60.0 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

500 mA

输入电容值(Ciss)

60pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

225 mW

耗散功率(Max)

225mW (Ta)

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MMBF170LT3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MMBF170LT3 符合标准

MMBF170LT3 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.09 MByte

MMBF170LT3 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

26 页 / 0.08 MByte

MMBF170LT3 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.12 MByte

MMBF170LT3 产品手册

ON Semiconductor（安森美）

10 页 / 0.25 MByte

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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MMBF170, 500 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装

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FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBF170 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 2.1 V

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