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MMBF170 数据手册

型号系列:

MMBF170 系列

分类:

MOS管

描述:

ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MMBF170, 500 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装

文档:

MMBF170LT3 数据手册 (26 页)

更新于: 2023/01/13 01:40:45 (UTC + 8)

MMBF170 MOS管数据手册

#1

MMBF170LT3

数据手册 (26 页)

0.5

ON Semiconductor（安森美）

#2

MMBF170LT1

数据手册 (24 页)

1.2

ON Semiconductor（安森美）

#3

MMBF170

数据手册 (21 页)

2.8

Fairchild（飞兆/仙童）

#4

MMBF170

数据手册 (16 页)

3.0

ON Semiconductor（安森美）

MMBF170 数据手册 MOS管

14 页

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR MMBF170LT1G 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V

14 页

Diodes（美台）

MMBF170-7-F 编带

6 页

ON Semiconductor（安森美）

0.5A,60V,SOT-223-3,N沟道功率MOSFET

5 页

Diodes（美台）

5 页

Diodes（美台）

5 页

Diodes（美台）

功率MOSFET500毫安，60 VN沟道SOT-23高密度电池设计的低RDS（ON）电压控制小信号开关坚固，可靠。高饱和电流能力

5 页

Diodes Zetex（捷特科）

N 沟道 MOSFET，40V 至 90V，Diodes Inc### MOSFET 晶体管，Diodes Inc.

4 页

Motorola（摩托罗拉）

更多 MMBF170 数据手册 >

MMBF170 - ON Semiconductor（安森美）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

5 Ω

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MMBF170 - ON Semiconductor（安森美）概述

●增强模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

●增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

●### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor

●Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

●Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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