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MMBF5457LT1
0.148
MMBF5457LT1 数据手册 (6 页)
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MMBF5457LT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
25.0 V
额定电流
10.0 mA
封装
SOT-23-3
极性
N-Channel
功耗
200 mW
漏源极电压(Vds)
25 V
漏源击穿电压
25 V
栅源击穿电压
25 V
连续漏极电流(Ids)
10.0 mA
击穿电压
25 V
输入电容值(Ciss)
7pF @15V(Vds)
额定功率(Max)
225 mW

MMBF5457LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBF5457LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 0.1 MByte

MMBF5457 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MMBF5457 N通道 JFET 晶体管, Idss: 1 → 5mA, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF5457  晶体管, MOSFET, N沟道
Motorola(摩托罗拉)
TI(德州仪器)
National Semiconductor(美国国家半导体)
ON Semiconductor(安森美)
JFET - 通用晶体管N沟道 JFET - General Purpose Transistor N-Channel
ON Semiconductor(安森美)
MMBF5457LT1 N沟道结型场效应管 25v 1~5mA SOT-23 marking/标记 6D radio 放大器和开关
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
Motorola(摩托罗拉)
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