器件3D模型

￥ 1.125

UCC27211DR 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

电源管理

封装:

SOIC-8

描述:

120 -V启动， 4 - A峰值，高频高侧和低侧驱动器 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

UCC27211DR 数据手册 (28 页)

引脚图在4 页 5 页Hot

封装尺寸在24 页 26 页 27 页

典型应用电路图在1 页 16 页 17 页

原理图在14 页

UCC27211DR 数据手册 (39 页)

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UCC27211DR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

上升/下降时间

7.2ns, 5.5ns

输出接口数

2 Output

下降时间(Max)

400 ns

上升时间(Max)

600 ns

工作温度(Max)

140 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

电源电压

8V ~ 17V

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UCC27211DR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 140℃ (TJ)

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UCC27211DR 符合标准

UCC27211DR 概述

UCC27211DR 数据手册

TI（德州仪器）

28 页 / 1.25 MByte

UCC27211 数据手册

UCC27211DDAR 数据手册

TI（德州仪器）

120 -V启动， 4 - A峰值，高频高侧/低侧驱动器 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side/Low-Side Driver

UCC27211DR 数据手册

TI（德州仪器）

120 -V启动， 4 - A峰值，高频高侧和低侧驱动器 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver

UCC27211DRMT 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS UCC27211DRMT 驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 17ns延迟, VSON-8

UCC27211DPRT 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS UCC27211DPRT 驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 17ns延迟, WSON-10

UCC27211DDA 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS UCC27211DDA 高压侧, 低压侧驱动器, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 18ns延迟, SOIC-8

UCC27211DPRR 数据手册

TI（德州仪器）

120 -V启动， 4 - A峰值，高频高侧和低侧驱动器 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side and Low-Side Driver

UCC27211ADRMT 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS UCC27211ADRMT 驱动器芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 5ns延迟, VSON-8

UCC27211DRMR 数据手册

TI（德州仪器）

120 -V启动， 4 - A峰值，高频高侧/低侧驱动器 120-V Boot, 4-A Peak, High Frequency High-Side/Low-Side Driver

UCC27211D 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS UCC27211D 驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 8V-17V电源, 4A输出, 17ns延迟, SOIC-8

UCC27211AQDDARQ1 数据手册

TI（德州仪器）

具有 8V UVLO 和负电压处理能力的汽车类 4A、120V 半桥栅极驱动器 8-SO PowerPAD -40 to 140

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