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MMBT2222ALT1XT
0.044
MMBT2222ALT1XT 数据手册 (8 页)
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MMBT2222ALT1XT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
600 mA
封装
SOT-23-3
极性
NPN
功耗
330 mW
增益频宽积
300 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.6A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
65 ℃
耗散功率(Max)
330 mW

MMBT2222ALT1XT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-65℃ ~ 150℃

MMBT2222ALT1XT 数据手册

Infineon(英飞凌)
8 页 / 0.52 MByte
Infineon(英飞凌)
9 页 / 0.08 MByte

MMBT2222ALT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A
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