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MMBT2222ALT1 数据手册

型号系列:

MMBT2222ALT1 系列

分类:

双极性晶体管

描述:

通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon

文档:

MMBT2222ALT1G 数据手册 (14 页)

更新于: 2023/01/13 02:30:13 (UTC + 8)

MMBT2222ALT1 双极性晶体管数据手册

MMBT2222ALT1G

数据手册 (14 页)

9.1

ON Semiconductor（安森美）

MMBT2222ALT1HTSA1

数据手册 (9 页)

2.2

Infineon（英飞凌）

MMBT2222ALT1

数据手册 (9 页)

2.0

ON Semiconductor（安森美）

MMBT2222ALT1

数据手册 (9 页)

0.7

Infineon（英飞凌）

MMBT2222ALT1 数据手册双极性晶体管

MMBT 2222A LT1

数据手册

9 页

Infineon（英飞凌）

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A

MMBT2222ALT1XT

数据手册

9 页

Infineon（英飞凌）

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT NPN 40V 0.6A

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MMBT2222ALT1 - ON Semiconductor（安森美）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

300 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

40.0 V

额定电流

600 mA

MMBT2222ALT1 - ON Semiconductor（安森美）概述

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 75V

●\---|---

●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V

●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 600mA/0.6A

●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250Mh~300Mhz

●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 40~300

●管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 0.3V~1V

●耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W

●Description & Applications| Pb−Free Package May be Available. The G−Suffix Denotes a Pb−Free Lead Finish

●描述与应用| 可能提供无铅封装。 G-后缀表示无铅牵头完成

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