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MMBT2222AT-TP
0.039
MMBT2222AT-TP 数据手册 (4 页)
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MMBT2222AT-TP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
40.0 V
额定电流
600 mA
封装
SOT-523-3
极性
NPN
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
75 @10mA, 10V
额定功率(Max)
150 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

MMBT2222AT-TP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
1.7 mm
宽度
0.85 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT2222AT-TP 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
4 页 / 0.23 MByte
Micro Commercial Components(美微科)
3 页 / 0.24 MByte
Micro Commercial Components(美微科)
1 页 / 0.13 MByte

MMBT2222 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2222  单晶体管 双极, NPN, 30 V, 250 MHz, 350 mW, 600 mA, 300 hFE
ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistors NPN Silicon
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) MMBT2222 M1B SOT-23 100-200
Motorola(摩托罗拉)
Diotec Semiconductor
LiteOn(光宝)
Leshan Radio(乐山无线电)
Nexperia(安世)
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