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MMBT2222ATT1G
0.016
MMBT2222ATT1G 数据手册 (6 页)
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MMBT2222ATT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
75.0 V
额定电流
600 mA
封装
SOT-416
额定功率
150 mW
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
150 mW
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
100 @150mA, 10V
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
35
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

MMBT2222ATT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
1.65 mm
宽度
0.9 mm
高度
0.8 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT2222ATT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
15 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.1 MByte

MMBT2222ATT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管 General Purpose Transistor
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBT2222ATT1G  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 150 mW, 600 mA, 35 hFE
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