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MMBT2484LT1
0.02
MMBT2484LT1 数据手册 (5 页)
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MMBT2484LT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
极性
N-Channel
功耗
300 mW
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
250 @1mA, 5V
额定功率(Max)
225 mW

MMBT2484LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT2484LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.18 MByte
ON Semiconductor(安森美)
19 页 / 0.26 MByte

MMBT2484 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor MMBT2484 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=60 V, HFE:20, 140 kHz, 3引脚 SOT-23封装
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT2484  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 350 mW, 100 mA, 20 hFE
Motorola(摩托罗拉)
Leshan Radio(乐山无线电)
Samsung(三星)
Freescale(飞思卡尔)
National Semiconductor(美国国家半导体)
New Jersey Semiconductor
TI(德州仪器)
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