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MPSH10RLRA
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MPSH10RLRA 数据手册 (3 页)
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MPSH10RLRA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
25.0 V
额定电流
4.00 mA
封装
TO-92-3
功耗
350 W
击穿电压(集电极-发射极)
25 V
最小电流放大倍数
60 @4mA, 10V
额定功率(Max)
350 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

MPSH10RLRA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
5.2 mm
宽度
4.19 mm
高度
5.33 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MPSH10RLRA 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
3 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
17 页 / 0.1 MByte

MPSH10 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
VHF / UHF晶体管NPN硅 VHF/UHF Transistors NPN Silicon
Fairchild(飞兆/仙童)
NPN晶体管RF NPN RF Transistor
CJ(长电科技)
三极管(晶体管) MPSH10 TO-92
Central Semiconductor
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN RF Amp/Osc
NXP(恩智浦)
NPN 1 GHz的通用开关晶体管 NPN 1 GHz general purpose switching transistor
UTC(友顺)
NPN射频晶体管
ON Semiconductor(安森美)
VHF / UHF晶体管NPN硅 VHF/UHF Transistors NPN Silicon
ON Semiconductor(安森美)
VHF / UHF晶体管NPN硅 VHF/UHF Transistors NPN Silicon
ON Semiconductor(安森美)
VHF / UHF晶体管NPN硅 VHF/UHF Transistors NPN Silicon
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VHF / UHF晶体管NPN硅 VHF/UHF Transistors NPN Silicon
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