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MMBT2484LT1G
0.026
MMBT2484LT1G 数据手册 (2 页)
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MMBT2484LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
100 mA
封装
SOT-23-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
225 mW
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
250 @1mA, 5V
额定功率(Max)
225 mW
直流电流增益(hFE)
250
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBT2484LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
1.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT2484LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.21 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.13 MByte

MMBT2484LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
低噪声晶体管( NPN硅) Low Noise Transistor(NPN Silicon)
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBT2484LT1G  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 225 mW, 100 mA, 250 hFE
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