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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > MMBT2907ALT1G Datasheet 文档
MMBT2907ALT1G
器件3D模型
0.013
MMBT2907ALT1G 数据手册 (6 页)
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MMBT2907ALT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
200 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-60.0 V
额定电流
-600 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
300 mW
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
225 mW
输入电容
30 pF
上升时间
40 ns
击穿电压(集电极-发射极)
60 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
100 @150mA, 10V
额定功率(Max)
300 mW
直流电流增益(hFE)
200
下降时间
30 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBT2907ALT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
3.04 mm
宽度
1.3 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT2907ALT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.11 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

MMBT2907ALT1 数据手册

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