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MMBT2907ALT1 数据手册

型号系列:

MMBT2907ALT1 系列

分类:

双极性晶体管

描述:

通用晶体管 General Purpose Transistors

文档:

MMBT2907ALT1G 数据手册 (14 页)

更新于: 2023/01/13 03:00:32 (UTC + 8)

MMBT2907ALT1 双极性晶体管数据手册

MMBT2907ALT1G

数据手册 (14 页)

7.9

ON Semiconductor（安森美）

MMBT2907ALT1HTSA1

数据手册 (10 页)

2.6

Infineon（英飞凌）

MMBT2907ALT1

数据手册 (10 页)

0.8

Infineon（英飞凌）

MMBT2907ALT1

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1.8

ON Semiconductor（安森美）

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MMBT 2907A LT1

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Infineon（英飞凌）

MMBT2907ALT1XT

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9 页

Infineon（英飞凌）

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A

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MMBT2907ALT1 - ON Semiconductor（安森美）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

200 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-600 mA

MMBT2907ALT1 - ON Semiconductor（安森美）概述

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −600mA/- 0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage| -1.6V 耗散功率PcPoWer Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| PNP epitaxial planar transistor General Purpose Transisters Features • Pb−Free Packages 描述与应用| PNP外延平面晶体管通用Transisters 特点 •无铅封装

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