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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > Diodes(美台) > MMBT3906LP-7 Datasheet 文档
MMBT3906LP-7
0.028
MMBT3906LP-7 数据手册 (7 页)
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MMBT3906LP-7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
300 MHz
引脚数
3 Pin
封装
DFN-3
极性
PNP
功耗
1 W
输入电容
10 pF
上升时间
35 ns
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.2A
最小电流放大倍数
100 @10mA, 1V
最大电流放大倍数
300
额定功率(Max)
250 mW
下降时间
75 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
460 mW

MMBT3906LP-7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT3906LP-7 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.39 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte

MMBT3906 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT3906  单晶体管 双极, 通用, PNP, -40 V, 250 MHz, 350 mW, -200 mA, 300 hFE
CJ(长电科技)
PNP,Vceo=-40V,Ic=-0.2A,hfe=100~300,丝印2A
ON Semiconductor(安森美)
MMBT3906系列 40 V CE击穿 0.2 A PNP 通用 放大器 - SOT-23
Diotec Semiconductor
ST Microelectronics(意法半导体)
小信号PNP晶体管 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR
Rectron
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SOT23 PNP 0.2A 40V G enPur
先科ST(先科)
二极管与整流器
NTE Electronics
Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1500W 20V 5% UNI TRANSZORB-TVS
NXP(恩智浦)
MMBT3906 PNP三极管 -40V -100mA/-0.1A 250MHz 100~300 -200mV/-0.2V SOT-23/SC-59 marking/标记 7B 开关
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