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MMBT3906 数据手册

型号系列:
MMBT3906 系列
分类:
-
描述:
PNP,Vceo=-40V,Ic=-0.2A,hfe=100~300,丝印2A
更新于: 2023/01/13 01:26:06 (UTC + 8)

MMBT3906 - 数据手册

#1
MMBT3906

MMBT3906

数据手册 (21 )
4.9
Fairchild(飞兆/仙童)
#2
MMBT3906

MMBT3906

数据手册 (21 )
3.2
ON Semiconductor(安森美)
#3
MMBT3906T-7-F

MMBT3906T-7-F

数据手册 (17 )
2.2
Diodes(美台)
#4
MMBT3906LT1G

MMBT3906LT1G

数据手册 (14 )
7.3
ON Semiconductor(安森美)

MMBT3906 数据手册 -

14
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBT3906WT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 40 V, 250 MHz, 150 mW, 200 mA, 250 hFE
14
NXP(恩智浦)
MMBT3906 PNP三极管 -40V -100mA/-0.1A 250MHz 100~300 -200mV/-0.2V SOT-23/SC-59 marking/标记 7B 开关
14
Motorola(摩托罗拉)
小信号三极管MMBT3906
14
Diodes(美台)
小信号晶体管( PNP ) SMALL SIGNAL TRANSISTORS (PNP)
13
Diotec Semiconductor
13
ST Microelectronics(意法半导体)
小信号PNP晶体管 SMALL SIGNAL PNP TRANSISTOR
13
NTE Electronics
13
Taitron
13
UTC(友顺)
低集电极电流
13
Rectron Semiconductor
13
Infineon(英飞凌)
PNP硅晶体管开关 PNP Silicon Switching Transistor
13
LiteOn(光宝)
9
Nexperia(安世)
小信号 PNP 晶体管,Nexperia### 双极晶体管,Nexperia
8
Diodes(美台)
MMBT3906LP-7 编带
7
Diodes(美台)
三极管
4
CJ(长电科技)
PNP,Vceo=-40V,Ic=-0.2A,hfe=100~300,丝印2A

MMBT3906 - CJ(长电科技) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
200mA
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MMBT3906 - CJ(长电科技) 概述

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| -40V
\---|---
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| −40V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| −200mA/-0.2A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 300MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300
管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| -300mV/-0.3V
耗散功率PcPoWer Dissipation| 200mW/0.2W
Description & Applications| Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Complementary type MMBT3904 Epitaxial planar die construction
描述与应用| 塑料封装晶体管 特点 互补型MMBT3904 外延平面模建设
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