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Datasheet 搜索 > 双极性晶体管 > ON Semiconductor(安森美) > MMBT3906WT1G Datasheet 文档
MMBT3906WT1G
器件3D模型
0.014
MMBT3906WT1G 数据手册 (10 页)
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MMBT3906WT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
250 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-40.0 V
额定电流
-200 mA
封装
SC-70-3
针脚数
3 Position
极性
PNP, P-Channel
功耗
150 mW
增益频宽积
250 MHz
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
集电极最大允许电流
0.2A
最小电流放大倍数
100 @10mA, 1V
额定功率(Max)
150 mW
直流电流增益(hFE)
250
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
150 mW

MMBT3906WT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
2.2 mm
宽度
1.24 mm
高度
1 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MMBT3906WT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.07 MByte
ON Semiconductor(安森美)
14 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 1.55 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

MMBT3906WT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
通用晶体管 General Purpose Transistors
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBT3906WT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, 40 V, 250 MHz, 150 mW, 200 mA, 250 hFE
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