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MMBT5087LT1G
0.021
MMBT5087LT1G 数据手册 (7 页)
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MMBT5087LT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
40 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-50.0 V
额定电流
-50.0 mA
封装
SOT-23-3
额定功率
300 mW
针脚数
3 Position
极性
PNP
功耗
225 mW
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.05A
最小电流放大倍数
250 @100µA, 5V
额定功率(Max)
300 mW
直流电流增益(hFE)
40
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBT5087LT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon
长度
3.04 mm
宽度
1.3 mm
高度
1.01 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃

MMBT5087LT1G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 1.31 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
7 页 / 0.23 MByte
ON Semiconductor(安森美)
1 页 / 0.14 MByte

MMBT5087LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
低噪声晶体管 Low Noise Transistor
Leshan Radio(乐山无线电)
Motorola(摩托罗拉)
Fairchild(飞兆/仙童)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMBT5087LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -50 V, 40 MHz, 225 mW, -50 mA, 40 hFE
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