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MMBT5401-G
0.038
MMBT5401-G 数据手册 (7 页)
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MMBT5401-G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
150 V
集电极最大允许电流
0.6A
最小电流放大倍数
100 @10mA, 5V
额定功率(Max)
300 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBT5401-G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBT5401-G 数据手册

Comchip Technology(上华科技)
7 页 / 0.3 MByte
Comchip Technology(上华科技)
6 页 / 0.25 MByte

MMBT5401 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5401.  单晶体管 双极, PNP, 150 V, 300 MHz, 350 mW, 600 mA, 240 hFE
ON Semiconductor(安森美)
MMBT5401系列 150 V CE击穿 0.6 A PNP 通用 放大器 - SOT-23
Diodes(美台)
DIODES INC.  MMBT5401  单晶体管 双极, PNP, -150 V, 300 MHz, 300 mW, -600 mA, 60 hFE
SHIKUES(时科)
MMBT5401 编带
Diotec Semiconductor
先科ST(先科)
二极管与整流器
SLKOR(韩国萨科微)
MMBT5401 编带
Leshan Radio(乐山无线电)
MMBT5401 PNP三极管 -160V -500mA/-0.5A 100~300MHz 60~240 -500mV/-0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 2L 通用放大器
LiteOn(光宝)
UTC(友顺)
高压开关 晶体管
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