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MMBT5551LT1
0.041
MMBT5551LT1 数据手册 (6 页)
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MMBT5551LT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
160 V
额定电流
600 mA
封装
SOT-23
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
160 V
集电极最大允许电流
0.06A
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300 mW

MMBT5551LT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
材质
Silicon

MMBT5551LT1 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte
ON Semiconductor(安森美)
5 页 / 0.08 MByte
ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.17 MByte

MMBT5551 数据手册

CJ(长电科技)
MMBT5551 G1 L档100-200 编带
Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5551  单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE
ON Semiconductor(安森美)
高电压晶体管 High Voltage Transistors
先科ST(先科)
二极管与整流器
Diotec Semiconductor
SLKOR(韩国萨科微)
NPN三极管 集电极电流Ic(Max):600mA 功率:300mW 集射极击穿电压Vce(Max):160V 封装;SOT-23
NTE Electronics
Micro Commercial Components(美微科)
LiteOn(光宝)
Motorola(摩托罗拉)
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