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MMBT5551LT3G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

SOT-23-3

描述:

NPN 晶体管，最大 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MMBT5551LT3G 数据手册 (6 页)

封装尺寸在6 页

MMBT5551LT3G 数据手册 (6 页)

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MMBT5551LT3G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

160 V

额定电流

600 mA

封装

SOT-23-3

额定功率

225 mW

极性

NPN

功耗

225 mW

击穿电压(集电极-发射极)

160 V

集电极最大允许电流

0.6A

最小电流放大倍数

80 @10mA, 5V

额定功率(Max)

225 mW

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

225 mW

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MMBT5551LT3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

长度

3.04 mm

宽度

2.64 mm

高度

1.11 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MMBT5551LT3G 符合标准

MMBT5551LT3G 海关信息

MMBT5551LT3G 概述