Datasheet 搜索 > Diotec Semiconductor > MMBTA06 数据手册 > MMBTA06 数据手册 1/2 页
￥ 0.227
MMBTA06 数据手册 - Diotec Semiconductor
制造商:
Diotec Semiconductor
封装:
SOT-23
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
页面导航:
封装尺寸在P1
标记信息在P2
封装信息在P1
导航目录
MMBTA06数据手册
Page:
of 2 Go
若手册格式错乱，请下载阅览PDF原文件
MMBTA05 / MMBTA06
MMBTA05 / MMBTA06
NPN
Surface mount general purpose Si-epitaxial planar transistors
Vielzweck Si-Epitaxial Planar-Transistoren für die Oberflächenmontage
NPN
Version 2007-06-25
Dimensions / Maße [mm]
1 = B 2 = E 3 = C
Power dissipation
Verlustleistung
250 mW
Plastic case
Kunststoffgehäuse
SOT-23
(TO-236)
Weight approx. – Gewicht ca. 0.01 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25°C) Grenzwerte (T
A
= 25°C)
MMBTA05 MMBTA06
Collector-Emitter-volt. - Kollektor-Emitter-Spannung B open V
CEO
60 V 80 V
Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open V
CBO
60 V 80 V
Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open V
EBO
4 V
Power dissipation – Verlustleistung P
tot
250 mW
1
)
Collector current – Kollektorstrom (dc) I
C
500 mA
Base current – Basisstrom I
B
100 mA
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom I
BM
200 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
T
j
-55...+150°C
Storage temperature – Lagerungstemperatur
T
S
-55…+150°C
Characteristics (T
j
= 25°C) Kennwerte (T
j
= 25°C)
Min. Typ. Max.
Collector-Base cutoff current – Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 60 V
I
E
= 0, V
CB
= 80 V
MMBTA05
MMBTA06
I
CB0
I
CB0
–
–
–
–
100 nA
100 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitterreststrom
I
C
= 0, V
EB
= 4 V I
EB0
– – 100 nA
Collector saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung
2
)
I
C
= 100 mA, I
B
= 10 mA V
CEsat
– – 250 mV
Base saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung
2
)
I
C
= 100 mA, I
B
= 10 mA V
BEsat
– – 1.2 V
1 Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
2.5
max
1.3
±0.1
1.1
2.9
±0.1
0.4
1
2
3
Type
Code
1.9
器件 Datasheet 文档搜索
AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
