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MMBTA56LT1G-HFE 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

SOT-23-3

描述:

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 DR XSTR PNP 80V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MMBTA56LT1G-HFE 数据手册 (5 页)

封装尺寸在5 页

MMBTA56LT1G-HFE 数据手册 (5 页)

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MMBTA56LT1G-HFE 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

功耗

225 mW

击穿电压(集电极-发射极)

80 V

最小电流放大倍数

100 @100mA, 1V

额定功率(Max)

225 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300 mW

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MMBTA56LT1G-HFE 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MMBTA56LT1G-HFE 符合标准

MMBTA56LT1G-HFE 概述

MMBTA56LT1G-HFE 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

5 页 / 0.1 MByte

MMBTA56LT1G-HFE 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

6 页 / 0.13 MByte

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