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MMBTA56Q-7-F
0.024
MMBTA56Q-7-F 数据手册 (7 页)
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MMBTA56Q-7-F 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
极性
PNP
功耗
310 mW
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
100 @100mA, 1V
额定功率(Max)
350 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
350 mW

MMBTA56Q-7-F 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBTA56Q-7-F 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.39 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte

MMBTA56Q7 数据手册

Diodes(美台)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP SS Trans 80Vceo 0.5A 0.3W
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