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MMBTH10RG
0.046
MMBTH10RG 数据手册 (21 页)
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MMBTH10RG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
击穿电压(集电极-发射极)
40 V
最小电流放大倍数
50 @1mA, 6V
最大电流放大倍数
120
额定功率(Max)
225 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

MMBTH10RG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MMBTH10RG 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
21 页 / 0.42 MByte
ON Semiconductor(安森美)
20 页 / 0.87 MByte
ON Semiconductor(安森美)
2 页 / 0.07 MByte

MMBTH10 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBTH10  晶体管 双极-射频, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 50 mA, 60 hFE
ON Semiconductor(安森美)
晶体管 双极-射频, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 50 mA, 60 hFE
Micro Commercial Components(美微科)
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UTC(友顺)
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