ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管功率晶体管双晶体管复合晶体管对高电压晶体管射频晶体管双极/FET 晶体管

MMBTH10-7-F

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5 页

Diodes（美台）

MMBTH10M3T5G

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5 页

ON Semiconductor（安森美）

ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管通用晶体管双 NPN 和 PNP 晶体管功率晶体管高电压晶体管射频双极晶体管低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

MMBTH10-7

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4 页

Diodes（美台）

NPN表面贴装VHF/ UHF晶体管VHF/ UHF放大器应用设计和高输出的高频振荡器高电流增益带宽积非常适于混频器和射频放大器应用集电极电流范围100 - 30毫安

MMBTH10-TP

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2 页

Micro Commercial Components（美微科）

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MMBTH10 - Fairchild（飞兆/仙童）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

频率

650 MHz

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

25.0 V

额定电流

50.0 mA

MMBTH10 - Fairchild（飞兆/仙童）概述

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 25V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 650Mhz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 60 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| NPN RF Transistor This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers, with collector currents in the 100 µA to 20 mA range in common emitter or common base mode of operations, and in low frequency drift, high output UHF oscillators. Sourced from Process 42. 描述与应用| NPN RF晶体管这个装置是专为使用低噪音UHF/ VHF放大器，与集电极电流在100μA到20 mA范围内共同发射器或共同经营的基本模式，并在低频漂移，高输出UHF振荡器

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