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Datasheet 搜索 > TVS二极管 > ON Semiconductor（安森美） > MMBZ12VALT1G Datasheet 文档
MMBZ12VALT1G
￥ 0.039

MMBZ12VALT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:
ON Semiconductor（安森美）
分类:
TVS二极管
封装:
SOT-23-3
描述:
ON SEMICONDUCTOR  MMBZ12VALT1G  TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 引脚
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
MMBZ12VALT1G 数据手册 (7 页)
封装尺寸在7 页
MMBZ12VALT1G 数据手册 (7 页)
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MMBZ12VALT1G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
12.0 V
封装
SOT-23-3
额定功率
40.0 W
击穿电压
12.0 V
电路数
2 Circuit
针脚数
3 Position
正向电压
0.9 V
功耗
40 W
钳位电压
17 V
测试电流
1 mA
最大反向击穿电压
12.6 V
脉冲峰值功率
40 W
最小反向击穿电压
11.4 V
击穿电压
11.4 V
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
工作结温
-55℃ ~ 150℃
耗散功率(Max)
300 mW
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MMBZ12VALT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.04 mm
宽度
1.4 mm
高度
0.94 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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MMBZ12VALT1G 数据手册

MMBZ12VALT1G 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.07 MByte
MMBZ12VALT1G 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
36 页 / 0.15 MByte
MMBZ12VALT1G 产品设计图
ON Semiconductor（安森美）
2 页 / 0.03 MByte
MMBZ12VALT1G 开发手册
ON Semiconductor（安森美）
7 页 / 0.15 MByte
MMBZ12VALT1G 产品修订记录
ON Semiconductor（安森美）
14 页 / 0.63 MByte

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