MMBZ12VALT1G

￥ 0.039

MMBZ12VALT1G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

TVS二极管

封装:

SOT-23-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MMBZ12VALT1G TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 引脚

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MMBZ12VALT1G 数据手册 (7 页)

封装尺寸在7 页

MMBZ12VALT1G 数据手册 (7 页)

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MMBZ12VALT1G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

12.0 V

封装

SOT-23-3

额定功率

40.0 W

击穿电压

12.0 V

电路数

2 Circuit

针脚数

3 Position

正向电压

0.9 V

功耗

40 W

钳位电压

17 V

测试电流

1 mA

最大反向击穿电压

12.6 V

脉冲峰值功率

40 W

最小反向击穿电压

11.4 V

击穿电压

11.4 V

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温

-55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max)

300 mW

查看数据手册 >

MMBZ12VALT1G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.04 mm

宽度

1.4 mm

高度

0.94 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MMBZ12VALT1G 符合标准

MMBZ12VALT1G 海关信息

MMBZ12VALT1G 概述

MMBZ12VALT1G 数据手册

MMBZ12VALT1G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.07 MByte

MMBZ12VALT1G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

36 页 / 0.15 MByte

MMBZ12VALT1G 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.03 MByte

MMBZ12VALT1G 开发手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.15 MByte

MMBZ12VALT1G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

14 页 / 0.63 MByte

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MMBZ12VALT1G 数据手册

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