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MMUN2111L
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MMUN2111L 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-23-3
极性
PNP
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
集电极最大允许电流
0.1A
最小电流放大倍数
35

MMUN2111L 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
最小包装数量
3000

MMUN2111L 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
12 页 / 0.14 MByte

MMUN2111 数据手册

Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
Leshan Radio(乐山无线电)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MMUN2111LT1G  晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
ON Semiconductor(安森美)
数字晶体管( BRT ) R1 = 10千欧, R2 = 10千? Digital Transistors (BRT) R1 = 10 k, R2 = 10 k
ON Semiconductor(安森美)
PNP硅偏置电阻晶体管 PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR
ON Semiconductor(安森美)
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
Motorola(摩托罗拉)
ON Semiconductor(安森美)
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
Motorola(摩托罗拉)
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