￥ 0

MPSA06T93 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-226-3

描述:

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DRVR NPN 80V .5A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

MPSA06T93 数据手册 (4 页)

查看文档

或点击图片查看大图

MPSA06T93 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

80.0 V

额定电流

500 mA

封装

TO-226-3

极性

NPN

功耗

625 mW

击穿电压(集电极-发射极)

80 V

集电极最大允许电流

0.5A

最小电流放大倍数

100 @100mA, 1V

最大电流放大倍数

100 @10mA, 1V

额定功率(Max)

350 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

查看数据手册 >

MPSA06T93 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape

长度

4.8 mm

宽度

3.7 mm

高度

4.8 mm

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

MPSA06T93 符合标准

MPSA06T93 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.07 MByte

MPSA06 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

放大器晶体管 Amplifier Transistors

MPSA06 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MPSA06.. 单晶体管双极, 达林顿, NPN, 80 V, 100 MHz, 625 mW, 500 mA, 100 hFE

MPSA06 数据手册

Diotec Semiconductor

MPSA06 数据手册

CJ（长电科技）

三极管(晶体管) MPSA06 TO-92 NPN,Vceo=80V,Ic=500mA,HFE=100-400

MPSA06 数据手册

Central Semiconductor

BJT Med Power

MPSA06 数据手册

NXP（恩智浦）

NPN通用晶体管 NPN general purpose transistor

MPSA06 数据手册

Multicomp

MPSA06 数据手册

KEC(Korea Electronics)（KEC株式会社）

MPSA06 数据手册

Philips（飞利浦）

MPSA06 数据手册

Continental Device

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号