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MPSA55G 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-226-3

描述:

ON SEMICONDUCTOR MPSA55G 射频双极晶体管

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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MPSA55G 数据手册 (7 页)

封装尺寸在7 页

MPSA55G 数据手册 (7 页)

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MPSA55G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-500 mA

封装

TO-226-3

针脚数

3 Position

极性

PNP, P-Channel

功耗

625 mW

击穿电压(集电极-发射极)

60 V

热阻

83.3℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流

0.5A

最小电流放大倍数

100 @100mA, 1V

额定功率(Max)

625 mW

直流电流增益(hFE)

150

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.5 W

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MPSA55G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Bulk

材质

Silicon

长度

5.2 mm

宽度

4.19 mm

高度

5.33 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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MPSA55G 符合标准

MPSA55G 海关信息

MPSA55G 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.08 MByte

MPSA55G 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

9 页 / 0.19 MByte

MPSA55G 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.07 MByte

MPSA55G 其他参考文件

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.13 MByte

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