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MPSA56_D75Z
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MPSA56_D75Z 数据手册 (9 页)
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MPSA56_D75Z 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
TO-226-3
击穿电压(集电极-发射极)
80 V
最小电流放大倍数
100 @100mA, 1V
额定功率(Max)
625 mW

MPSA56_D75Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MPSA56_D75Z 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.38 MByte

MPSA56D75 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
ON Semiconductor(安森美)
Fairchild(飞兆/仙童)
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