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MPSW42G
0.441
MPSW42G 数据手册 (4 页)
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MPSW42G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
频率
50 MHz
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
300 V
额定电流
500 mA
封装
TO-226-3
针脚数
3 Position
极性
NPN
功耗
1 W
击穿电压(集电极-发射极)
300 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
40 @30mA, 10V
额定功率(Max)
1 W
直流电流增益(hFE)
50
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW

MPSW42G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Box
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MPSW42G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.19 MByte
ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.15 MByte

MPSW42 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
一瓦高压晶体管 One Watt High Voltage Transistor
Motorola(摩托罗拉)
National Semiconductor(美国国家半导体)
TI(德州仪器)
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MPSW42RLRAG  双极性晶体管
ON Semiconductor(安森美)
一瓦高压晶体管 One Watt High Voltage Transistor
ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  MPSW42G  双极晶体管
Motorola(摩托罗拉)
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