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MPSW92G
0.08
MPSW92G 数据手册 (4 页)
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MPSW92G 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
-300 V
额定电流
-500 mA
封装
TO-226-3
极性
Dual P-Channel
功耗
1.00 W
击穿电压(集电极-发射极)
300 V
集电极最大允许电流
0.5A
最小电流放大倍数
25 @30mA, 10V
额定功率(Max)
1 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1000 mW

MPSW92G 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
材质
Silicon
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

MPSW92G 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
4 页 / 0.09 MByte
ON Semiconductor(安森美)
10 页 / 0.21 MByte

MPSW92 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
一瓦高压晶体管( PNP硅) One Watt High Voltage Transistor(PNP Silicon)
Motorola(摩托罗拉)
TI(德州仪器)
National Semiconductor(美国国家半导体)
ON Semiconductor(安森美)
ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管
ON Semiconductor(安森美)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 500mA 300V PNP
ON Semiconductor(安森美)
一瓦高压晶体管 One Watt High Voltage Transistor
Motorola(摩托罗拉)
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