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MRF1518NT1
2.253
MRF1518NT1 数据手册 (19 页)
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MRF1518NT1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
520 MHz
引脚数
3 Pin
额定电流
4 A
封装
PLD-1
无卤素状态
Halogen Free
极性
N-Channel
功耗
62.5 W
阈值电压
1.6 V
漏源极电压(Vds)
40.0 V
连续漏极电流(Ids)
4.00 mA
输出功率
8 W
增益
13 dB
测试电流
150 mA
输入电容值(Ciss)
66pF @12.5V(Vds)
输出功率(Max)
8 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
62500 mW
额定电压
40 V

MRF1518NT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
6.73 mm
宽度
5.97 mm
高度
1.83 mm

MRF1518NT1 数据手册

Freescale(飞思卡尔)
19 页 / 0.74 MByte
Freescale(飞思卡尔)
20 页 / 0.76 MByte

MRF1518 数据手册

NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
晶体管, 射频FET, 40 V, 4 A, 62.5 W, 450 MHz, 520 MHz, PLD-1.5
Freescale(飞思卡尔)
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET PLD1.5N
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
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