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MRF5812GR2
器件3D模型
1.708
MRF5812GR2 数据手册 (5 页)
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MRF5812GR2 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
击穿电压(集电极-发射极)
15 V
增益
13dB ~ 15.5dB
最小电流放大倍数
50 @50mA, 5V
额定功率(Max)
1.25 W
耗散功率(Max)
1250 mW

MRF5812GR2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tape & Reel (TR)

MRF5812GR2 数据手册

Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.11 MByte
Microsemi(美高森美)
1 页 / 0.08 MByte

MRF5812 数据手册

Microsemi(美高森美)
射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
Advanced Semiconductor
Microsemi(美高森美)
射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
Microsemi(美高森美)
射频与微波离散小功率三极管 RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS
NXP(恩智浦)
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